QORVO 的 GAN 优势
GaN 推动射频技术发展
氮化镓 (GaN) 技术不断发展，通过不断以小尺寸提高功率密度、可靠性和增益来突破极限。GaN 技术不再仅仅适用于国防/航空航天应用，也在更为复杂的应用实现越来越高的频率，例如相控阵、雷达、5G 基站收发台、有线电视 (CATV)、VSAT 和国防通信。
凭借逾二十年的 GaN 研究及创新领导力，Qorvo 的 GaN-on-SiC 射频技术 持续提供高性能和可靠性，从而满足客户要求。通过与 DARPA WBGS 二期和三期及其他研究实验室开展持续的代工合作，我们一直在帮助推动 GaN 的未来发展。
GAN 新品
成熟技术
Qorvo 在 GaAs 和 GaN 领域拥有 30 多年的专业技术和经验，已完成 1000 多项 MMIC 设计。从航空技术到国防再到无线和有线电视，我们的设计涵盖从接近直流到 W 频段的整个范围。
Qorvo 提供经过验证的 GaN 电路可靠性和紧凑高效的产品。这为实现更稳健的性能、更低的运营成本和更长的使用寿命铺平了道路。
我们对自身在 GaN 领域的专业知识富有信心，因此我们建议您思考以下十个问题，以找到适合您的 GaN 供应商。Qorvo 的 GaN 产品和技术使您周围的系统时刻联网，安全无虞。
GaN 提供出色的性能
- 高功率密度
- 缩小尺寸，减少零件数量
- 高增益和高效率
- 稳健运行和长脉冲能力
- 高工作电压，可提高系统电源效率
Qorvo GaN 技术的优势
- 可靠性更进一步，超越以前的行业标准
- 有能力在美国的安全设施内进行集成/封装/测试
- 获奖创新包括首批金刚石基氮化镓设备
- 率先向市场推出 0.15 µm 和 0.25 µm GaN 技术
- 获得美国国防部 (DoD) 最高的 1A 级“可信的微电子来源”评级，证明 Qorvo 公司的产品、流程和程序符合严格的控制和安全处理标准
GaN-on-SiC 优势
Qorvo 的 GaN 亮点
传统
自 1999 年以来，一直引领国防和商业 GaN 研究
GaN 产品
广泛的创新型 GaN 放大器、晶体管和开关选择
大学合作伙伴
麻省理工学院、美国圣母大学、科罗拉多大学博尔德分校、德克萨斯大学达拉斯分校、俄亥俄州立大学以及布里斯托大学
研究
性能和可靠性 GaN 开发的领导者
近来获得的荣誉
- 2015 Tech Titans 企业创新奖
- 2013 CS 行业大奖（DARPA NJTT 项目）
- 2012 CS 行业大奖（DARPA MPC 项目）
- 2011 CS 行业大奖（DARPA NEXT 项目）
现行的研发项目
- DARPA NEXT 项目，面向高度复杂、高频率的 GaN MMIC
- 与 Lockheed Martin 合作的 DARPA ICECool 项目，用于测量 GaN on SiC 热管理
- DARPA 微小尺寸功率转换项目，致力于开发超快的电源开关技术，并将该技术集成到新一代放大器中
- DARPA 近结热传输 (NJTT) GaN 项目，通过增强热管理来提升电路的功率处理能力
GaN 技术
- QGaN25：第 2 代 0.25 微米碳化硅基氮化镓 (SiC)；100mm 晶圆；DC-18 Ghz 应用，漏偏压高达 40 V
- QGaN25HV：高压 0.25 微米 GaN on SiC；100Mm 晶圆、DC-10 GHz 应用，漏偏压高达 48 V
- QGaN15：0.15 微米 GaN on SiC；100mm 晶圆；DC-40 Ghz 应用，漏偏压高达 28 V
- QGaN50：0.50 微米 GaN on SiC；100mm 晶圆；DC-10GHz 应用，漏偏压高达 65 V
