Advancing Wideband RF Power: Next-Generation GaN-on-SiC SSPAs Optimize SWaP-C and Mission Reliability

Modern radar, SATCOM and EW systems demand higher power, wider bandwidth and greater reliability under strict SWaP-C constraints.

GaN Thermal Analysis for High-Performance Systems

Characterize GaN thermal behavior through die-level modeling, measurement data and finite element analysis.

输入线性度对优化射频接收器设计的重要性

接收器的线性度在整个系统的性能中起着至关重要的作用。它会影响系统级参数，如链路预算和接收器灵敏度。设计高性能射频（RF）接收器需要在两个关键指标之间进行权衡：噪声系数（NF）和输入线性度（通常以输入三阶交调截取点，即IIP3表示）。较低的NF可提高灵敏度，但通常需要更高的增益。相反，较高的IIP3能够更好地耐受干扰，但通常以牺牲增益为代价。

了解 GaN 热分析

本视频展示Qorvo如何确定GaN器件的可靠性和热阻值。您也可以参考GaN应用笔记GaN器件温度、热阻和可靠性评估，了解详细内容。您还可以参阅Qorvo GaN晶体管模型库，其中包含一组功能强大的高精度非线性仿真模型，适用于Qorvo裸片和封装形式的GaN晶体管。利用我们设计中心中的一系列工具（如本视频），将有助于您开发更快速、更智能的产品。我们热衷于合作解决最棘手的射频问题。请将我们视为您的Smartner™ — 您的智慧射频合作伙伴。如需获得更多帮助，请联系tool-feedback@qorvo.com。

Qorvo Spatium SSPA Technology Brochure

High-Performance Defense and Aerospace Solutions

RF technologies and solutions built to meet demanding performance, reliability and SWaP constraints.

通过太空连接世界

Qorvo 通过其行业领先的技术进步，为卫星通信的性能和可靠性树立了新的标杆，推动了卫星通信的未来发展。

A Comprehensive Guide to mmWave Solutions

GaN and GaAs design strategies for defense and aerospace mmWave systems, including Ka-band SATCOM trends and model-based PA design.

面向GaN功率放大器的电源解决方案

如今，电子工程师明白GaN技术需要栅极负电压工作。这曾经被视为负面的——此处“负面”和“负极”并非双关语——但今天，有一些技术使这种栅极负压操作变得微不足道。今天，我们拥有电源管理集成电路（PMIC）器件，可以轻松可靠地为这些GaN PA通电和断电，以及PMIC所带来更多其他优势。我们将在下面详细介绍。

半导体和大功率GaN器件的热设计

引言

Qorvo Spatium SSPA Technology Brochure

GaN in SATCOM Front-Ends

GaN enables higher RF power density, improved efficiency and reduced size and weight in SATCOM RF front ends.

高效卫星链路设计：链路预算分析综述

在射频（RF）通信系统中，信号从发射器到接收器所经过的路径称为通信链路。在设计此类系统时，评估该路径上的信号强度、噪声水平，以及各种损耗的过程称为链路预算分析。

氮化镓 for dummies® 第二版

了解方式： GaN射频技术傻瓜书： GaN技术的相关特性 GaN的热性能和设计考量 使用GaN的必要性以及时机 GaN如何实现无线通信 GaN的独特之处 点击下载

Qorvo在线设计大会- 利用低相位噪声放大器提高系统性能

新型低噪声放大器提供了前所未有的性能，频率和带宽。 该网络研讨会讨论了该领域市场发展现状和趋势，并讨论了这些组件如何在许多国防和商业应用中实现下一代高性能系统的可能。

X-Band Radar: Driving Defense Applications with Beamforming, GaN and GaAs Technology

Build compact X-band radar systems with GaN and GaAs front ends integrated with silicon beamforming ICs.

利用时延解决方案最大化相控阵性能

在之前关于真时延单元的第1篇博客文章《真时延：定义及工作原理》中，我们探讨了真时延技术如何在有源电子扫描阵列（AESA）系统中工作，以及实现时延的一些方法；如单片微波集成电路（MMIC）、微带线和带状线。其中，MMIC因其体积小、成本低而最为常用。

Reduction on GaN's Pulse Recovery Time