SiC FET

Qorvo 的高性能碳化硅 (SiC) FET 兼具更快的开关速度、更低的开关损耗、更高的效率、标准通孔（包括 Kelvin）和表面贴装封装，成本效益出色。这些 FET 基于专业的共源共栅配置，其中高性能 SiC 快速 JFET 与针对 Si-MOSFET 而优化的共源共栅封装在一起，从而以标准栅极驱动电路运行 SiC 器件。这些设备大多符合 AEC-Q101 标准。

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