下载全尺寸图片

    美国北卡罗来纳州格林斯巴勒 – 2024 年 1 月 24 日 – 全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® (纳斯达克代码:QRVO)今日发布一款符合车规标准的碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)产品;在紧凑型D2PAK-7L封装中实现业界卓越的9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款750V SiC FET作为Qorvo全新引脚兼容SiC FET系列的首款产品,导通电阻值最高可达60mΩ,非常适合车载充电器、DC/DC转换器和正温度系数(PTC)加热器模块等电动汽车(EV)类应用。

    UJ4SC075009B7S 在25°C时的典型导通电阻值为9mΩ,可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率。其小型表面贴装封装可实现自动化装配流程,降低客户的制造成本。全新的750V系列产品是对Qorvo现有的1200V1700V D2PAK封装车用SiC FET的补充,打造了完整的产品组合,可满足400V和800V电池架构电动汽车的应用需求。

    Qorvo电源产品线市场总监Ramanan Natarajan表示:“这一全新SiC FET系列的推出彰显了我们致力于为电动汽车动力总成设计人员提供先进、高效解决方案的承诺,以助力其应对独特的车辆动力挑战。”

    这些第四代SiC FET采用Qorvo独特的共源共栅结构电路配置,将SiC JFET与硅基MOSFET合并封装,从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基MOSFET简单栅极驱动的器件。SiC FET的效率取决于传导损耗;得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管反向压降,Qorvo的共源共栅结构/JFET方式带来了更低的传导损耗。

    UJ4SC075009B7S 的主要特性包括:

    有关Qorvo先进功率应用SiC解决方案的更多信息,请访问:cn.qorvo.com/go/gen4

    关于 Qorvo
    Qorvo(纳斯达克代码:QRVO)提供各种创新半导体解决方案, 致力于让我们的世界更美好。我们结合产品和领先的技术优势、以系统级专业知识和全球性的制造规模, 快速解决客户最复杂的技术难题。Qorvo 面向全球多个快速增长的细分市场提供解决方案,包括消费电子、智能家居/物联网、汽车、电动汽车、电池供电设备、网络基础设施、医疗保健和航空航天/国防。访问 cn.qorvo.com,了解我们多元化的创新团队如何连接地球万物,提供无微不至的保护和源源不断的动力。

    Qorvo为Qorvo公司在美国及其它地区注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。

    Qorvo 媒体联络人:
    漆惠 Fay Qi
    Qorvo 亚太区市场公关部经理
    Fay.Qi@qorvo.com
    +86-21-5011 7302

    本新闻稿包含美国《1995 年私人证券诉讼改革法案》安全港条款所定义的“前瞻性声明”。这些前瞻性声明包括但不仅限于:关于我们的计划、目标、陈述和论点的声明,前瞻性声明并非历史事实,通常以“可能”、“将”、“应该”、“可以”、“预计”、“计划”、“预期”、“认为”、“估计”、“预测”、“潜在”、“继续”等措辞和类似措辞进行识别,但部分前瞻性声明表述有所差异。请注意,本文所包含的前瞻性声明代表管理层的当前判断与预期,但其实际结果、事件和业绩可能与前瞻性声明表示或暗示的内容存在重大差异。除非联邦证券法要求,本公司不会更新任何前瞻性声明,或者公开宣布前瞻性声明的任何修订结果。Qorvo的业务受到各种风险与不确定性的影响,包括经营业绩的波动性;无法使部分客户或供应商获得其信贷的传统渠道;本行业快速变化的技术;绝大部分收入对几家大型客户的依赖性;实现创新型技术的能力;将新品推向市场并获得设计订单的能力;公司晶圆制造厂、装配厂和测试、卷带与包装厂的有效成功经营;针对产品需求变化、产量变动、行业产能过剩与当前宏观经济条件、不准确的行业预测与相应的库存及生产成本、对第三方的依赖性及时调整产量的能力,以及管理渠道合作伙伴与客户关系的能力;对国际销售和运营的依赖;吸引和留任科技人才以及培养领导者的能力;未来收购稀释股东所有权并导致负债和承担或有债务的可能性;普通股价格的波动;针对知识产权组合的额外侵权诉讼;针对产品的诉讼和索赔;危及我们的信息并使我们承担责任的安全漏洞和其他类似破坏;严厉的环境法规的影响;Qorvo整合的影响。这些内容及其它风险与不确定性因素在Qorvo向美国证券交易委员会提交的8K及其他报告、声明等文件中均有详述,可能导致实际结果和发展情况与任何这些前瞻性声明所表述或暗示的内容产生重大差异。