Efficient Power Conversion Meets Efficient Manufacturing

    更高性能、更高效率的 SiC FET,现已交付。

    从 5.4 至 60 mohm、750V 的 UJ4C/SC 系列到 23 至 70 mohm、1200V 的 UF4C/SC 系列,我们的第 4 代 SiC FET 提供多种导通电阻 RDS(on) 和封装组合,可为电源设计人员提供更高的性能和多种器件选项,支持更大的设计灵活性,从而提供表现出色且经济高效的 SiC 电源解决方案

    进一步了解采用表面贴装封装的 9mΩ SiC FET产品。

    快速链接:


    更低的 RDS(on)

    RDS(on) 为 5.4 至 60 mohm、750 V 额定电压,采用行业标准封装


    优秀的性能

    品质因数 RDS(on) x 面积、RDS(on) x Coss,tr 和 RDS(on) x Eoss 更为出色


    800 V 总线应用

    23 至 70 mohm 的 1200 V 器件非常适合 800 V 总线应用


    设计灵活性

    针对效率、热管理、复杂性和成本进行优化
    观看视频

    电压 RDS(on)
    (mohm)
    @ 25°C
    RDS(on)
    (mohm)
    @ 125°C
    TO-247-3L
    TO-247-3L
    TO-247-4L
    TO-247-4L
    D2PAK-7L
    D2PAK-7L
    TOLL
    TOLL
    750 V 5.4 9.3 UJ4SC075005L8S
    5.9 9.8 UJ4SC075006K4S
    8.6 14.4 UJ4SC075008L8S
    9 14.8 UJ4SC075009K4S
    UJ4SC075009B7S
    11 18.4 UJ4SC075011K4S
    UJ4SC075011B7S
    18 29
    UJ4SC075018B7S
    UJ4SC075018L8S
    31
    UJ4C075018K3S
    UJ4C075018K4S
    23 39
    UJ4C075023K3S
    UJ4C075023K4S
    UJ4C075023B7S
    33 57
    UJ4C075033K3S
    UJ4C075033K4S
    UJ4C075033B7S
    44 75
    UJ4C075044K3S
    UJ4C075044K4S
    UJ4C075044B7S
    58 106
    UJ4C075060K3S
    UJ4C075060K4S
    UJ4C075060B7S
    1200 V 23 42 UF4SC120023K4S UF4SC120023B7S
    30 56 UF4SC120030K4S UF4SC120030B7S
    53 112 UF4C120053K3S UF4C120053K4S
    UF4C120053B7S
    72 140 UF4C120070K3S UF4C120070K4S
    UF4C120070B7S
    符合 AEC-Q101 车规标准
    • 以第 4 代 SiC FET 为基准做归一化处理的品质因数参数

      基于领先的 20 mohm - 30 mohm SiC MOSFET 的公开数据表 7/22

      关键特性:

      • 750 V VDS 额定值
      • RDS(on) 较低,为 5.4 mohm 至 60 mohm
      • 出色的品质因数 (FoM)
      • 5μs 短路承受时间(6 mohm 下)
      • 使用标准 0 V 至 12 V 或 15 V 栅极驱动电压安全驱动
      • 通过真正的 5V 阈值电压保持出色的阈值噪声裕度
      • 可在所有 Si IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET 驱动电压下运行
      • 内置 ESD 栅极保护钳位
      • 行业标准 TO-247-3L 和 TO-247-4L (Kelvin)、TO-无铅 (TOLL) 和 D2PAK-7L 封装
      • 通过 AEC-Q101 标准认证的器件已在上面注明。所有其他器件的认证正在进行中。请联系销售部门了解更多信息。

      资源:

    • 以第 4 代 SiC FET 为基准做归一化处理的品质因数参数

      基于采用 TO-247-3L 和 TO-247-4L 封装的领先 30 mohm - 40 mohm SiC MOSFET 的公开数据表 4/22

      关键特性:

      • 1200 V VDS 额定值
      • RDS(on) 较低,为 23 mohm 至 70 mohm
      • 出色的品质因数 (FoM)
        • RDS x 面积
        • RDS(on) x Coss,tr
        • RDS(on) x Eoss
        • RDS(on) x Qg
      • 使用标准 0 V 至 12 V 或 15 V 栅极驱动电压安全驱动
      • 通过真正的 5 V 阈值电压保持出色的阈值噪声裕度
      • 可在所有 Si IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET 驱动电压下运行
      • 内置 ESD 栅极保护钳位
      • 行业标准 TO-247-3L 和 TO-247-4L (Kelvin) 封装
      • AEC-Q101 认证正在进行中。请联系销售部门了解更多信息。

      资源:

    对电源设计人员来说,品质因数 (FoM) 的比较在确定适合其设计的技术方面起着至关重要的作用,这种比较不仅基于具体产品规格,还要广泛对比各种拓扑、功率级别等因素下的性能表现。

    下面显示的数据表结果说明,与同类 SiC FET 器件相比,UnitedSiC(现为 Qorvo)的高性能第 4 代系列产品在硬开关和软开关电路中传导损耗更小、栅极驱动更简单,开关损耗也更低。

    硬开关

    • 得益于低 Eoss / Qoss x RDS(on),总损耗更低
    • 优于竞争器件近 1.5 倍

    RDS(on) x 面积

    • 对于给定的尺寸或封装类型,在有效温度范围内传导损耗更低

    软开关

    • 保持较低 RDS(on) x Coss,tr 有助于在软开关应用中实现更高功率密度
    • 更优异的 Qg x VDrive 使栅极驱动损耗降低 2.5-6 倍
    • 出色的体二极管确保在非谐振情况下也能可靠运行

    硬开关

    • 得益于低 Eoss / Qoss x RDS(on),总损耗更低
    • 优于竞争器件近 2 倍

    软开关

    • 保持较低 RDS(on) x Coss,tr 有助于在软开关应用中实现更高功率密度
    • 更优异的 Qg x VDrive 使栅极驱动损耗降低 5-10 倍
    • 出色的体二极管确保在非谐振情况下也能可靠运行

    RDS(on) x Qg

    • 低 RDS(on) x Qg 和 0-12V 栅极驱动电压可降低驱动器损耗,此性能优势在高频软开关应用中尤为显著
    • 简化设计
    • 减少板级热管理需求

    1. 使用 FET-Jet 计算器进行评估。即时获取多种电源拓扑的损耗和效率结果。

    2. 使用 SPICE 模型运行详细仿真。

    3. 购买器件,验证设计。全球主要经销商均备有产品库存。


    FET-Jet 计算器

    快速评估并确定最适合目标电源拓扑的 SiC 器件


    SiC FET 设计技巧

    重要的 SiC FET 设计考虑因素和缓冲器建议


    SiC FET 用户指南

    结合使用 RC 缓冲器与快速开关 SiC 器件的实用解决方案和指南


    产品选型指南

    为您的高性能电源设计寻找理想的 SiC FET 和配套 SiC 器件

    如有技术问题,我们的电源专家随时为您服务

    如需样片,请填写申请样片表格。