Qorvo 和 Lockheed Martin：DARPA ICECool 项目使用微片散热

不要让您的电子设备过热。Qorvo 和 Lockheed Martin 提供散热技术。

Lockheed Martin 和 Qorvo 的工程师团队共同合作，以实现美国国防高级研究计划局 (DARPA) 项目目标，旨在借助芯片级散热技术增强微芯片性能。DARPA 项目称为芯片内/芯片间增强冷却 (ICECool)，包含已经过验证的阶段，证实通过改进的热管理技术可提升 RF MMIC 功率放大器和嵌入式计算系统的性能。

Lockheed Martin ICECool 团队首席研究员 John Ditri 表示：“目前，我们在微芯片内可实现的功率受到限制。最大的挑战之一是如何管理热量。如果可以有效地管理热量，则可以使用更少的材料，从而节省成本。如果可以有效地管理热量并使用相同数量的芯片，那么系统的性能会更高。”

从内部冷却高功率系统

Qorvo 和 Lockheed Martin 正致力于将热管理技术与 Qorvo 的 碳化硅 (SiC) 基氮化镓 (GaN) QGaN15 解决方案相结合。这项技术极具潜力，能够冷却最需要冷却的系统：从先进的军事设备（如雷达和电子战）到高性能计算机和服务器。

这种技术方法还可以扩展到当前或未来的裸片技术，如砷化镓 (GaAs) 和金刚石氮化镓。Qorvo 基础设施与国防产品总经理 Roger Hall 表示：“自 2013 年以来，Qorvo 一直与 DARPA 合作，力求在金刚石氮化镓技术领域取得突破。现在我们很高兴能够致力于将新的微流体冷却方法用于 GaN 和其他微电子技术。”

RF 输出功率显著提高

Qorvo 和 Lockheed Martin 证实，采用新的芯片级散热技术，RF 输出功率比传统的散热技术提高了 6 倍。

Hall 表示：“对于高功率微芯片而言，快速且经济高效的冷却技术对日常设备应用中的数百个芯片具有深远的意义。通过提高热导率和降低器件温度，我们正在为新一代 GaN 器件铺平道路，可使器件比现在的产品小很多。”

Qorvo 和 ICECool 团队正在开发一个发射天线原型，并不断提高这种新型冷却技术的成熟度，从而使我们所依赖的电子设备能有效和高效地运行。请继续关注并让您的设备远离阳光照射，这项技术可使任何热通量较高的设备受益，由我们的 ICECool 团队开发完成。