如何在不损坏设备的情况下偏置 GaN 晶体管：视频教程

您是一名从未接触过氮化镓 (GaN) 或耗尽型 FET 的 RF 或微波工程师？您是否总是损坏 GaN 器件或评估板样品，但却又不知道损坏原因？

GaN 是一项相对较新的半导体技术，尤其是在商业应用领域。由于与 LDMOS 等现有技术相比，GaN 具有优异的特性，所以每天都有更多的应用采用 GaN。尽管工程师可能会认为 GaN 类似于 LDMOS，但事实并非如此。

本博文和我们的简短视频教程将介绍几个小窍门，告诉您如何偏置 GaN 产品以实现最佳性能。

关于 GaN 需谨记以下几点

GaN HEMT 是耗尽型器件，也就是说当栅极源电压为零时，器件处于常开状态。如果您从未接触过 GaN，则应谨记以下两个关键点：

• 使用 GaN 时，您需要正、负电压，即高漏极正电压和较低栅极负电压。
• 即使在向电路施加 RF 信号之前，我们都必须以特定的顺序进行 GaN 偏置，否则可能会损坏器件。

相反，LDMOS 是一种增强型器件，并且需使用高漏极正电压和较低栅极负电压。对于 LDMOS，可同时施加栅极电压和漏极电压。