2023 年 11 月 6 日
如今,电子工程师明白GaN技术需要栅极负电压工作。这曾经被视为负面的——此处“负面”和“负极”并非双关语——但今天,有一些技术使这种栅极负压操作变得微不足道。今天,我们拥有电源管理集成电路(PMIC)器件,可以轻松可靠地为这些GaN PA通电和断电,以及PMIC所带来更多其他优势。我们将在下面详细介绍。
在这篇博客文章中,我们将解读PMIC如何用于设计和控制雷达、无线基础设施、卫星通信和其他应用中的RF GaN PA技术。我们还将探讨PMIC如何帮助优化射频前端(RFFE)设计以获得最佳性能。
深入探讨RFFE功率管理的系统挑战
在往期博文中,我们探讨了在RFFE中利用GaN功率放大器技术进行设计时遇到的障碍。以下是对相关内容的回顾:
本视频演示了采用GaN功率放大器的客户如何利用Qorvo ACT41000电源管理模块来高效地为这些器件通电和断电。
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从电力供应的角度来看,还有其他障碍——比如:
事实上,采用PMIC可完全消除上述障碍。
深入了解电源轨
在许多RF放大器系统中,RFFE的电源轨很可能为开关电源。这些开关电源具有高电压摆动和高斜率,这会增加噪声的可能性。此外还会产生少量的电源调制噪声,如测量的电源调制比(PSMR)。该PSMR是对调制到RF发射载波上的缺陷(纹波和噪声)的测量。可以使用非隔离的RF负载点调节器(PMIC中的RF PoL)来减少或消除这种噪声。实施RF PoL/PMIC可为RFFE应用带来最佳运行所需的高精度电压轨、快速动态响应负载,和低噪声。
对于RF功率放大器应用而言,纯净的发射器信号并避免电源干扰非常重要,以免在载波频率周围产生尖峰(其他线路辐射)。这正是RF PoL的优势所在;它能产生高输出电压,有助于优化功率放大器的效率,控制功率放大器件的额定值,并构建一个可调的控制回路,从而提供一个低噪声电源。如下图所示,借助 SiC FETs, ACT43950 和 ACT43850这三种电源链器件,可以获得全功能的低噪声电源链。
图1: 简化的电源、PMIC和RFFE
上述 PMIC框图分解如下:
在上文中,ACT43750调节栅极和漏极——漏极电压范围为10至55V。需要注意的是,如果您的系统设计已经实施了电压轨,ACT43750也可独立使用。在这种情况下,需要添加ACT43750和开关(GaN或Si)。系统中的ACT43750单独为RF系统的GaN器件提供10至55V直流恒定轨(适合此电压范围的GaN功率放大器有: QPD0005M、 QPA0017 和 QPA2612,其它产品请参见 此处)。但是,如不添加ACT43950和ACT43850,您的设计将需要更大的功率元件与导线,如上所述。
ACT41000可用于低电压解决方案;其漏极电压范围为3至24V。上一篇博文《使用电源管理模块为GaN功率放大器上电(和断电)》对这一器件进行了概述;此篇博文和相关 视频教程 介绍了如何在系统中设置和使用该器件。
图2: RF系统设计中使用的 ACT41000 PMIC
The ACT41000 与上述 PMIC, SiC FETs 和 GaN 功率放大器器件一样,适用于 雷达, 无线基础设施, 电子战 等领域。
结语
当今的RF系统越来越小,要求更宽的RF带宽、更高的功率、更高的工作温度,且必须比以前的解决方案更加可靠。这通常意味着系统复杂性的增加;但在RF GaN应用中采用 Qorvo的PMIC,能够让复杂的功率树更易于管理。PMIC使控制、操作和性能更为精确、可靠和优化。技术的进步让我们再次“惊叹不已”。现在,采用PMIC,设计工程师可以更好、更轻松地进行设计,同时打造技术高度先进的RFFE系统。
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