Qorvo® 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块
美国北卡罗来纳州格林斯巴勒 – 2024 年 2 月 27 日 – 全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® （纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅 (SiC) 模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。
Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行，通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程，让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性分析和认证，无需应对多个分立式元件。”
以 9.4mΩ 导通电阻的 UHB100SC12E1BC3N 为代表的这四款 SiC 模块均采用 Qorvo 独特的共源共栅配置，最大限度地降低了导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23 °C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出 2 倍。得益于以上特性，这些高度集成的 SiC 电源模块不仅易于使用，而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。
下表概述了 Qorvo 全新的 1200V SiC 模块系列：
| 产品型号 | 描述 | RDS(on) @25C (mΩ) |
| UFB15C12E1BC3N | 1200V, 15A SiC 全桥模块 | 70 |
| UFB25SC12E1BC3N | 1200V, 25A SiC 全桥模块 | 35 |
| UHB50SC12E1BC3N | 1200V, 50A SiC 半桥模块 | 19 |
| UHB100SC12E1BC3N | 1200V, 100A SiC 半桥模块 | 9.4 |
Qorvo 功能强大的设计工具套件（例如 FET-Jet Calculator 和 QSPICE™ 软件）有助于产品选择和性能仿真。如需详细了解有关 Qorvo 先进的工业应用 SiC 解决方案，请访问 cn.qorvo.com/go/sic。
Qorvo 于 2 月 26 日至 28 日在加利福尼亚州长滩会议中心举行的国际电力电子应用展览会（APEC）上推出其首款 SiC 模块系列及展示其最新的电源管理创新技术。欢迎与会者莅临 Qorvo 1857 号展台，了解 QSPICE 仿真、碳化硅 (SiC) 和电池管理技术的最新进展。更多信息，请访问 Qorvo 的 APEC 2024 页面。
关于 Qorvo
Qorvo（纳斯达克代码:QRVO）提供各种创新半导体解决方案, 致力于让我们的世界更美好。我们结合产品和领先的技术优势、以系统级专业知识和全球性的制造规模, 快速解决客户最复杂的技术难题。Qorvo 面向全球多个快速增长的细分市场提供解决方案，包括消费电子、智能家居/物联网、汽车、电动汽车、电池供电设备、网络基础设施、医疗保健和航空航天/国防。访问 cn.qorvo.com，了解我们多元化的创新团队如何连接地球万物，提供无微不至的保护和源源不断的动力。
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