北卡罗来纳州格林斯巴勒市– 2017 年6月1日–移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出业界首款适用于 39GHz 5G 频段的碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 前端模块 (FEM) 。这款 FEM 设计独特 – 在小尺寸里集成了两个强大的多功能 GaN MMIC – 解决了电信设备制造商在设计 5G 基站时面临的复杂挑战。
Strategy Analytics 高级半导体应用服务总监 Eric Higham 表示：“随着移动设备技术和应用的持续进步，要求网络基础设施不仅能够支持不断增长的数据速率，同时要显著降低延迟。Qorvo的QPF4005 等 FEM 能够解决下一代毫米波系统的挑战。”
Qorvo 基础设施与国防产品部门总裁 James Klein 表示：“Qorvo 发布的业界首款适用于 39GHz 的双通道 GaN 前端模块，对于实现 5G 固定无线网络至关重要。 QPF4005 结合了我们的毫米波专业知识和经现场检验的 GaN-on-SiC 工艺技术，能够帮助电信运营商快速、经济高效地向家庭和移动热点提供更多数据。
双通道 QPF4005 采用 Qorvo 高效的 0.15 微米 GaN-on-SiC 技术构建。它将两个相同的多功能 GaN MMIC 集成到一个小尺寸封装中，并针对 39GHz 下的相控阵元件间距进行了优化。每个 MMIC 都包含一个低噪声放大器、一个 SPDT 开关和一个功率放大器。
T电信设备制造商通过 Qorvo 的 GaN-on-SiC 技术可显著改善效率和工作带宽。Qorvo 的 GaN-on-SiC 产品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工艺成熟的特点，早在2000年就开始批量生产。有关 Qorvo 的 GaN-on-SiC 产品优势的更多信息，请参见 这里 和观看 视频 。
39GHz QPF4005 FEM 的工程样品现已上市。
| QPF4005 9GHz 双通道 GaN MMIC FEM | |
|---|---|
| 频段：39GHz (37-40.5 GHz) | |
| 双通道：每个封装 2 个 GaN MMIC | |
| MMIC：3级 PA，3级 LNA，低损耗 T/R 开关 | |
| 平均功率：23 dBm (支持 QAM256 OFDM 调制) | |
| 封装：4.5x6mm AC-EHSL （为满足严苛的栅格间距要求而设计） |
在夏威夷州火奴鲁鲁市 6 月 4-9 日举行的 2017 年国际微波研讨会 (#ims2017) 上，Qorvo 无线基础设施产品在 1510 号展台亮相。如需了解有关 Qorvo 高性能解决方案的更多信息，请访问http://www.qorvo.com/gan。
关于 Qorvo
Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）长期坚持提供创新的射频解决方案以实现更加美好的互联世界。我们结合产品和领先的技术优势、 以系统级专业知识和全球性的制造规模，快速解决客户最复杂的技术难题。Qorvo 服务于全球市场，包括先进的无线设备、 有线和无线网络和防空雷达及通信系统。我们在这些高速发展和增长的领域持续保持着领先优势。我们还利用我们独特的竞争优势，以推进 5 G 网络、 云计算、 物联网和其他新兴的应用市场以实现人物、 地点和事物的全球互联。访问 www.qorvo.com 了解 Qorvo如何创造美好的互联世界。
Qorvo为Qorvo公司在美国及其它地区注册商标。
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