这是系列博文的第 3 篇文章,主要讨论 GaN HEMT 非线性模型对快速高效实现功率放大器 (PA) 设计的重要性。
Oct 2, 2018
高精度非线性器件模型
晶体管性能预测建模
先进的偏置、温度与自热效应建模
与主流射频EDA设计工具集成
提供示例设计,加快仿真环境搭建
更快开发并提高一次成功率
使用这些资源,快速开始您的功率放大器参考设计。

这是系列博文的第 3 篇文章,主要讨论 GaN HEMT 非线性模型对快速高效实现功率放大器 (PA) 设计的重要性。
Oct 2, 2018

这是入门系列(两部分)博客的第二部分,全面介绍基于模型的功率放大器 (PA) 设计。第一部分介绍了非线性 GaN 模型的基本概念。
May 31, 2018

您的工作是否涉及有源/无源微电子电路和设计?如果涉及,您可能非常了解高温会对这些器件产生哪些不利影响。高工作温度会导致性能下降,服务寿命缩短。因此,工程师应始终考虑热因素的影响,以消除器件设计中的潜在问题。
Nov 18, 2019

Jun 25, 2026

Qorvo 与 Modelithics 扩展合作,为设计人员提供用于 Qorvo GaN 晶体管器件的高精度非线性仿真模型。
Modelithics® Qorvo GaN 模型库采用“业界领先”的测量与建模技术开发。Modelithics 以提供基于测量的高精度先进特性仿真模型而闻名,具备强大的衬底与器件参数缩放能力,对高频设计至关重要。Modelithics 的模型库可与最新的电子设计自动化(EDA)仿真工具无缝集成,并提供完善文档,每个模型均配有模型信息数据表。

Qorvo GaN 晶体管模型库包含来自 Qorvo 的裸片与封装形式 GaN 晶体管的高精度非线性仿真模型合集。每个模型均具备高级设计特性,包括可变偏置、温度缩放、自热效应、内在 I‑V 感测,以及在适用情况下的键合线设置。Modelithics Qorvo GaN 模型库还包含示例工程,用于展示模型特性,并便于为常见线性与非线性设计仿真搭建测试平台。
Modelithics 使用部分模型生成了功率放大器参考设计,并对这些设计进行了制版、测试与文档化,以说明模型的准确性及其在设计应用中的价值,同时展示各 GaN 器件在 PA 电路层面的能力。其中一项 1.8–2.2 GHz PA 参考设计表明,GaN 模型的内在端口访问与多谐波调谐特性,以及用于无源器件的 Modelithics Microwave Global Models™,是一次成型设计成功的关键。(参见《High Frequency Electronics》杂志 2016 年 3 月刊相关封面专题文章)。
另一篇讨论 Modelithics Qorvo GaN 模型库器件与电路层面验证的文章《高功率 GaN 模型库的器件与 PA 电路层面验证》(Device and PA Circuit Level Validations of a High Power GaN Model Library),可见于《Microwave Journal》杂志 2016 年 8 月刊。

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Nov 18, 2019

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Qorvo GaN 晶体管模型库包含来自 Qorvo 的裸片与封装形式 GaN 晶体管的高精度非线性仿真模型合集。每个模型均具备高级设计特性,包括可变偏置、温度缩放、自热效应、内在 I‑V 感测,以及在适用情况下的键合线设置。Modelithics Qorvo GaN 模型库还包含示例工程,用于展示模型特性,并便于为常见线性与非线性设计仿真搭建测试平台。
Modelithics 使用部分模型生成了功率放大器参考设计,并对这些设计进行了制版、测试与文档化,以说明模型的准确性及其在设计应用中的价值,同时展示各 GaN 器件在 PA 电路层面的能力。其中一项 1.8–2.2 GHz PA 参考设计表明,GaN 模型的内在端口访问与多谐波调谐特性,以及用于无源器件的 Modelithics Microwave Global Models™,是一次成型设计成功的关键。(参见《High Frequency Electronics》杂志 2016 年 3 月刊相关封面专题文章)。
另一篇讨论 Modelithics Qorvo GaN 模型库器件与电路层面验证的文章《高功率 GaN 模型库的器件与 PA 电路层面验证》(Device and PA Circuit Level Validations of a High Power GaN Model Library),可见于《Microwave Journal》杂志 2016 年 8 月刊。

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