美国北卡罗来纳州格林斯巴勒–2018年12月10 日– 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）凭借行业首款 28 Ghz 氮化镓 (GaN) 前端模块 (FEM) 扩大了其 5G 业务范围。在基站设备制造商涉足 5G 之后，这款新 FEM 可以帮助他们降低总体系统成本。
据 SNS Telecom & IT 介绍，28 GHz 频段是早期基于 5G 的固定无线接入 (FWA) 部署1的首选频段，使运营商能够满足 5G 对速度、延迟、可靠性和容量的要求。
QPF4001 FEM 在单个 MMIC 中集成了高线性度 LNA、低损耗发射/接收开关和高增益、高效率多级 PA。针对 5G 基站架构中间隔 28 GHz 的相控阵元件，对紧凑型 5x4 毫米气腔层表贴封装进行了优化。
Qorvo 的新款 GaN FEM 让毫米波相控阵系统变得更小、功能更强大，也更加高效，能够把信号引导到需要更多带宽的区域。本应用采用了 Qorvo 的高效率 0.15 微米 GaN-on-SiC 技术，让用户能够更高效的达到更高的 EIRP 级别，同时最小化阵列尺寸和功耗，从而降低系统成本。
Qorvo 基础设施与国防产品总裁 James Klein 说：“Qorvo 利用我们具有悠久历史的毫米波技术，让 5G 成为现实。三十年来，我们一直在解决点对点、卫星通信和国防行业采用的集成电路所面临的功率、尺寸和效率挑战，这些努力促成了如今 Qorvo 的 5G 创新。我们的 GaN 技术被用于进行数十次 5G 现场试验，而这个新模块将进一步减小尺寸和功耗，对于对毫米波频率产生关键影响的超小阵列，这一点至关重要。”
符合资格的客户现在可索取 QPF4001 FEM 工程样品。
| QPF4001 28 GHz 单通道 GaN MMIC FEM | |
|---|---|
| 频段：26-30 GHz | |
| 集成了 MMIC：3 级 PA，3 级 LNA，低损耗 T/R 开关 |
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| 饱和输出功率：30 dBm | |
| 平均功率：23 dBm（3% EVM 时） | |
| P封装：5x4 mm SMT（旨在满足毫米波的格栅间距要求） |
Qorvo 的 GaN-on-SiC 产品具有高功率密度、小尺寸、出色的增益、高可靠性和工艺成熟的特点，早在 2000 年就开始批量生产，让电信设备制造商得以显著提升效率和工作带宽。QPF4001 进一步丰富了 Qorvo 于 2017 年 6 月推出的创新 5G 产品组合，包括用于 5G 的 39 GHz FEM。您可以在此处找到 Qorvo 颇受欢迎的电子书《5G For Dummies》。
关于 Qorvo
Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）长期坚持提供创新的射频解决方案以实现更加美好的互联世界。我们结合产品和领先的技术优势、 以系统级专业知识和全球性的制造规模，快速解决客户最复杂的技术难题。Qorvo 服务于全球市场，包括先进的无线设备、 有线和无线网络和防空雷达及通信系统。我们在这些高速发展和增长的领域持续保持着领先优势。我们还利用我们独特的竞争优势，以推进 5 G 网络、 云计算、 物联网和其他新兴的应用市场以实现人物、 地点和事物的全球互联。访问 www.qorvo.com 了解 Qorvo如何创造美好的互联世界。
Qorvo为Qorvo公司在美国及其它地区注册商标。
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