美国北卡罗来纳州格林斯巴勒市– 2023 年 3 月 20 日 全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)将展示一款采用表贴 TO 无铅 (TOLL) 封装的新型高性能 5.4 毫欧 (mΩ) 750V SiC FET。这是 750V SiC FET 系列中首款采用 TOLL 封装,并支持 5.4 mΩ 至 60 mΩ 导通电阻的产品。这些器件适用于多种空间受限应用,例如功率在几百瓦至几千瓦的 AC/DC 电源、固态继电器,以及电流高达 100A 的断路器。
在市面上的 600/750V 级功率 FET 中,Qorvo 第 4 代 SiC FET 的导通电阻、输出电容等多个主要品质因数表现出色。此外,这些器件采用 TOLL 封装,导通电阻仅为 5.4 mΩ,比性能突出的 Si MOSFET、SiC MOSFET 和 GaN 晶体管等竞争产品低 4-10 倍。SiC FET 的额定电压为 750V,比其他替代技术高出 100-150V,在管理电压瞬变方面可提供更大的设计裕量。
Qorvo 功率器件业务首席工程师 Anup Bhalla 表示:“我们想要为设计人员提供业内出色的性能和多种器件选项,推出采用 TOLL 封装的 5.4 mΩ Gen4 SiC FET 是我们实现这一目标的重要举措。我们的工业应用客户尤其需要可兼具灵活性和成本高效性的电源设计。”
相比于 D2PAK 表贴产品的替代方案,TOLL 封装的尺寸缩小了 30%,高度仅为 2.3 mm,是前者的一半。尽管尺寸减小,但其采用的先进制造技术实现了结至外壳 0.1° C/W 的热阻,性能更加优异。DC 额定电流高达 120A,外壳温度为 144 ℃,在 0.5 毫秒内脉冲额定电流可高达 588A。再加上超低导通电阻和出色的瞬变热性能,其“I2t”额定值要比采用相同封装的 Si MOSFET 高出约 8 倍,这不但能简化设计,还带来了更稳健的表现,也更能抑制瞬变过载。TOLL 封装还支持开尔文电源连接,为高速开关提供保障。
这些 Gen4 SiC FET 采用了 Qorvo 专门设计的共栅电路,该电路将 SiC JFET 和 Si MOSFET 封装在一起,让器件能够充分发挥其宽带隙开关技术和更简单的 Silicon MOSFET 栅极驱动带来的所有能效优势。
Qorvo FET-JetTM 免费使用的在线计算器中亦提供有 Qorvo TOLL 封装 Gen4 5.4 mΩ SiC FET,该计算器可用于即时评估各种 AC/DC 和隔离/非隔离 DC/DC 转换器拓扑中所用器件的能效、组件损耗和结温上升指标。此外还可以在用户指定的散热条件下比较单个器件和并联器件,以帮助确定优化解决方案。
如需了解有关 Qorvo 先进的电源应用解决方案的更多信息,请访问 https://www.qorvo.com/innovation/power-solutions。
关于Qorvo
Qorvo(纳斯达克代码:QRVO)提供各种创新半导体解决方案,致力于让我们的世界更美好。我们结合产品和领先的技术优势、以系统级专业知识和全球性的制造规模,快速解决客户最复杂的技术难题。Qorvo 面向全球多个快速增长的细分市场提供解决方案,包括消费电子、智能家居/物联网、汽车、电动汽车、电池供电设备、网络基础设施、医疗保健和航空航天/国防。访问 www.qorvo.com ,了解我们多元化的创新团队如何连接地球万物,提供无微不至的保护和源源不断的动力。
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