中国北京 –2022年 5 月 11 日 –移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列,该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构,这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。

    UnitedSiC/Qorvo 功率器件总工程师 Anup Bhalla 表示:我们通过更高性能的第四代器件扩充了 1200V 产品系列,为工程师将总线设计电压提高到 800V 提供了有力支持。在电动汽车中,这种电压升高无法避免;这些新器件支持四种不同的 RDS(on)(漏源导通电阻)等级,有助于设计师为每项设计选择合适的 SiC 器件。

    以下 SiC FET 出色的品质因数展现了全新 UF4C/SC 系列的性能优势:

    品质因数 数值
    RDS(on) • A 1.35 mOhm-cm2
    RDS(on) • Eoss 0.78 Ohm-uJ
    RDS(on) • Coss,tr 4.5 Ohm-pF
    RDS(on) • Qg 0.9 Ohm-nC

    所有 RDS (on) 选项233053 70 毫欧都采用行业标准的 4 引脚开尔文源极 TO-247 封装以更高的性能水平提供更清洁的开关。53 70 毫欧的器件也可采用 TO-247 三引脚封装。该系列器件采用先进的银烧结芯片贴装和晶圆减薄工艺,通过良好的热性能管理实现了出色的可靠性。

    此外 FET-Jet Calculator 免费在线设计工具支持所有 1200V SiC FET可以即时评估在各种 AC/DC 和隔离式/非隔离 DC/DC 转换器拓扑结构中所用器件的效率、组件损耗和结温上升指标。 它可以在用户指定的散热条件下比较单个和并联器件,以获取优化解决方案。

    全新 1200V 第四代 SiC FET 售价(1000 件起,美国离岸价)为 5.71 美元 (UF4C120070K3S) 14.14 美元 (UF4SC120023K4S) 所有器件均通过授权经销商销售。

    Qorvo 的碳化硅和电源管理产品面向工业、商业和消费电子领域的充电、驱动和控制应用。

     

    关于 Qorvo

    Qorvo(纳斯达克代码:QRVO)长期坚持提供创新的射频解决方案以实现更加美好的互联世界。我们结合产品和领先的技术优势、 以系统级专业知识和全球性的制造规模,快速解决客户最复杂的技术难题。Qorvo 服务于全球市场,包括先进的无线设备、 有线和无线网络和防空雷达及通信系统。我们在这些高速发展和增长的领域持续保持着领先优势。我们还利用我们独特的竞争优势,以推进 5 G 网络、 云计算、 物联网和其他新兴的应用市场以实现人物、 地点和事物的全球互联。访问 www.qorvo.com 了解 Qorvo如何创造美好的互联世界。

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