本博客系列共分为 3 部分，这是第 2 部分，介绍静电放电 (ESD) 的各个方面以及移动设备的系统级 ESD 设计。

板载 ESD 保护器件

作为一个总体战略，您可以在 PC 电路板上使用许多保护元件，以保护终端产品免受 ESD 事件的影响。这些保护元件包括：

更多关于瞬态电压抑制器 (TVS) 的信息

TVS 二极管是实现 ESD 保护的首选元件之一。当诱发性电压超过雪崩击穿电压时，它们通过分流过电流的方式运行。它们是一种箝位装置，抑制所有高于击穿电压的过电压。当不存在过电压时，它们会自动重置至关闭状态，但会吸收更多内部的瞬态能量。

TVS 二极管可以是单向二极管，也可以是双向二极管。双向二极管可使用两个相互对立的雪崩二极管以串联的方式表示，如下所示，并连接至相对于被保护引脚的并联配置。这些设备均制造为单个封装元件。

对于 RF 应用中的 ESD 保护，必须保持尽可能小的 TVS 二极管电容。这可避免输入匹配的失谐，从而使保护设备产生较少的谐波失真。

下图显示了双向 TVS 二极管的电流-电压 (I-V) 曲线。您可以看到，TVS 相对于原点呈对称状，且可针对正极和负极 ESD 触电进行 ESD 保护。

下图比较了变阻器、聚合物和 TVS 二极管响应 ESD 触电的残留电压。大家可以看到，当今的硅基 TVS 二极管是针对 ESD 触电最有效的方法。

板载 TVS 二极管位置的重要性

然而，TVS 的位置具有重要影响。如果电路设计不当，则 ESD 保护就不会那么有效。请记住，这些一般原则：

• 在开发 PC 电路板时，请注意轨迹不要太长，因为这会产生不必要的电感。
• 记住：与 TVS 设备串联的电容会使一级 ESD 电流路径断开，而添加至一级 ESD 电流路径的任何 RF 电感都会提高残留路径中的总阻抗。
• 如果将 TVS 置于合适的位置，就不需要其他 ESD 元件。
   

那么什么是合适的位置？如下图所示，您应该：

• 只使用 TVS。
• 切勿将 TVS 置于电容或电感器的前面或后面。
• 确保没有轨迹。应将 TVS 置于 RF 路径和接地之间。

接地：机械因素

为缓解 ESD 事件，必须对成品的每一方面进行正确的接地——PC 电路板、所有 IC 芯片和元件、外壳、盖子等。确保在终端产品接地时考虑了以下所有方面：

• 所有金属件必须通过低阻抗路径连接至系统接地。
• 浮动金属部件都有 ESD 危险。
• 所有金属部件都必须接地，或如果适用，更换为塑料件。
• 多个互联的 PC 电路板设计可能会导致高电阻电感系统接地。当一级 TVS 和 RF 模块置于不同的 PC 电路板上时，应特别注意保护天线。

一级和二级 ESD 保护

下图显示了 RF 前端 (RFFE) 中针对 ESD 保护的主要和辅助箝位的高级基本视图。

注意：一些系统设计需要在 IC 前放置一个额外的板载辅助箝位，以减少元件引脚可能存在的任何残留 ESD 电荷。

我们来进一步了解一级和二级保护：

• 一级保护（板载）：一级保护可能包含箝位元件，如并联电感器或 TVS 元件（二极管、变阻器和火花隙）。这些主要箝位可分流较大的 ESD 电流。主要箝位主要为与直接 ESD 能量入口接触的外部连接和其他接口。此外，它们在减少 IC 元件引脚处出现的残留 ESD 应力方面发挥着重要作用。
• 二级保护（片上）：二级保护用于箝住设备引脚处积累的任何残留 ESD 应力。ESD 瞬态的形状在很大程度上取决于板载主要箝位特性和 PC 电路板设计。

一级和二级 ESD 保护阶段的协同设计（即板载和片上保护）是 SEED 方法的基本概念。这两个阶段可在两个分支的载流能力通过串联阻抗实现平衡的位置提供必要的保护。

模拟和分析这两个保护阶段可帮助电路板设计人员选择适当的板载保护箝位电平，以确保能够有效地处理抵达 IC 的峰值残留脉冲。利用模拟实现的 SEED 保护设计要求将国际电工委员会 (IEC) 应力模型、基于 SEED 参数的 TVS 和 IC 接口引脚模型以及隔离阻抗电路（即 PC 电路板上的电路）整合在一起。我们将在第 3 部分详细介绍如何模拟和分析 SEED 设计。

RF 前端 (RFFE) 的保护战略

不同的应用需要不同的 ESD 保护。一种方法或许能够满足您的应用需求，但可能不适用于其他应用。最终，您使用的设计必须通过 FCC 和 IEC 测试，这样您的产品才能获得认证并出售。

我们来看看可用于 RFFE 中 ESD 保护的几种战略。

战略 1：基本保护——并联电感器

最基本的方法是采用一个并联电感器。如下图所示，电感器 (L) 是 ESD 电流脉冲的主要分流元件。该电感器的 nH 范围应比较低 (<20 nH)，这样才能构成有效的 ESD 保护解决方案。但它会增加插入损耗，带来一些 RF 性能挑战。并联电容通常用于实现 RF 匹配，而非 ESD 保护。

战略 2：单级高通滤波器

第二种方法采用单级高通滤波器 (HPF)，如下图所示。然而，这可能并不是最有效的方法。

战略 3：两级 ESD 保护

第三种方法使用两级 ESD 保护，如下图所示。该方法将 TVS 作为一级保护，并将 HPF 作为二级 ESD 保护，以捕获残留应力。

如下图中看到的那样：

• 第一级保护 (TVS) 箝住低于 20V 的电压，从而将峰值电压降至 50V 以下。
• 第二级保护中的 HPF 进一步降低残留电压脉冲，箝住低于 10V 的电压，从而将峰值电压降至 20V 以下。

ESD 保护的最佳方法

最终，您是在试图降低 IC 在 ESD 触电中遇到的电压；目的是在其击中 IC 之前降低所有峰值电压。我们认为理想的 ESD 战略就是两级方法，第一级使用 TVS 元件（TVS 二极管），第二级使用 HPF 网络。

优势：

• 它可以提高您的电路板级 ESD 保护，并为您提供通过 IEC 测试的最佳机会。
• 此外，它还可以减少 ESD 脉冲幅度和 RF 路径上的残留电压。
• 双向 TVS 二极管有助于防止正极和负极脉冲影响。
• 高通滤波器可箝住任何残留电压脉冲。
• 从而为元件引脚提供最佳保护。

接下来：在系统设计中实现 SEED

当移动设备未通过认证测试时，在设计周期后期出现 ESD 问题并不罕见。我们了解到最佳方法就是从一开始（设计整个电路板之前）就进行 ESD 保护和 RF 设计规划，因为这样可以减少波动、设计困扰和认证问题。

现在，您已经清楚解决 ESD 问题的背景信息和工具。接下来的博客将详细探讨 SEED 方法，以及如何将其整合至您的系统级设计中。