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以下白皮书可能对希望熟悉 SiC 电源器件及技术 的人有所帮助。
在双栅极配置中采用 SiC FET 实现电路保护 长期以来，许多人都认为 SiC JFET 是固态断路器和固态功率控制器应用的理想器件，因为这些器件具有低导通电阻和高电压额定值，而且在需要时其限流能力不受影响。本白皮书研究了如何在双栅极配置中使用常关 SiC FET 来简化大电流直流和交流断路器的开发。
从连续时域到微控制器代码 控制理论是电力电子设计用到的一大主要电子理论。随着数字控制的日益普及，充分掌握数字控制的基础知识非常重要。关于系统建模和控制理论的教科书有很多，但对于如何将现有连续时间模型转换为可实际编程到微控制器中的模型，我们却很难找到清晰解释，而这正是本应用笔记的主题。例如，文中用 C 代码实现了连续时间传递函数，并在此过程中重点介绍了基本数学理论。
新型半导体技术推动提高电源转换效率 电源转换是几乎所有电子设备中的常见要素，它可以采用多种拓扑实现。本白皮书介绍了新半导体技术开发的背景，并给出了一些创新器件的示例，这些器件旨在为当前和新兴的电源转换应用提供正确的特性组合。
SiC FET 的起源及其向理想开关的演变 用作高频开关的宽带隙半导体是提高电源转换效率的推动因素。举个例子，碳化硅开关可实现为 SiC MOSFET，或在共源共栅配置中实现为 SiC FET。本白皮书追溯了 SiC FET 的起源及其演变迭代的过程，并将其性能与替代技术进行了比较。
电源应用中 SiC 和 GaN 比较的实际考虑因素 碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 半导体技术有望在未来实现优越性能。采用共源共栅配置的 SiC 器件使现有系统能够轻松升级，从而立即获得宽带隙器件的优势。
电动汽车应用中的 SiC FET 宽带隙半导体在包括电动汽车在内的所有类型功率转换中都有应用。本白皮书阐释了为何新一代 SiC FET 非常适合新型逆变器设计，即使在高温和重复应力下，其损耗也低于 IGBT，并且具有经过验证的抗短路稳健性。
SiC 产品和技术现状 得益于固有的高击穿电场和高导热率特性，碳化硅 (SiC) 器件在电力电子领域大放异彩。经过 25 年多的持续研发，碳化硅材料和器件日趋成熟，其采用已经达到临界点。